1、完成公司薄膜ALD,PECVD,PVD等設備的導入和安裝驗收，主導相關工藝設定，保證設備符合研發(fā)、量產需要；2、根據(jù)公司的項目開發(fā)相關薄膜等工藝，負責薄膜等工藝研發(fā)、量產；3、優(yōu)化現(xiàn)有產品薄膜等工藝，提高器件良率以及穩(wěn)定性；4、負責薄膜等工藝日常維護和監(jiān)控數(shù)據(jù)分析；5、制定薄膜等工藝方法、操作規(guī)范等工藝標準化文件；6、配合器件工程師完成新產品、新材料導入以及驗證；7、負責薄膜相關設備工藝降本項目；8、負責新進工程師的薄膜等工藝培訓；9、完成部門規(guī)劃的其它器件工藝開發(fā)相關工作以及設備維護工作。崗位要求：1、本科及以上學歷，半導體芯片制造行業(yè)薄膜(CVD/PVD)工藝背景；2、有ALD設備工藝開發(fā)維護能力優(yōu)先。薪資福利：（1）具有行業(yè)競爭力的薪資福利；（2）多元化帶薪假期；（3）六險一金；（4）團體旅游/拓展、年度體檢；（5）團體活動俱樂部、定期培訓；（6）三節(jié)福利禮金。

晶湛半導體由業(yè)界公認的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術的開拓者程凱博士于2012年3月回國創(chuàng)辦，坐落于蘇州市工業(yè)園區(qū)，擁有國際先進的氮化鎵外延材料研發(fā)和產業(yè)化基地，致力于為電力電子以及微顯示等領域提供高品質氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國際上可供應300mm硅基氮化鎵外延產品的先鋒廠商，技術實力處于國際領軍地位。在公司發(fā)展過程中，晶湛在業(yè)內創(chuàng)造過多項創(chuàng)舉。2014年底，晶湛半導體率先在全球發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產品，經(jīng)有關下游客戶驗證，該材料具備全球領先的技術指標和卓越的性能，實現(xiàn)了國內氮化鎵產業(yè)的重要升級。2021年9月，晶湛半導體成功發(fā)布12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了國內外廣泛關注。經(jīng)過多年的專注發(fā)展，晶湛半導體已經(jīng)成為國內GaN材料研發(fā)和產業(yè)化的領軍企業(yè)，通過與全球數(shù)百家知名半導體科技企業(yè)、高校科研院所客戶建立廣泛深入的合作，多次在行業(yè)頂級期刊Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及國際頂級會議IEDM等發(fā)布相關創(chuàng)新成果，引起國際半導體界的廣泛關注和一致好評。晶湛半導體高度重視自主研發(fā)和核心知識產權工作，在氮化鎵外延領域已掌握多項核心技術, 擁有獨立的自主知識產權，晶湛半導體目前已在國內外累計申請超900項專利，其中已獲得超200項專利授權。公司還先后榮獲蘇州市技術發(fā)明一等獎、蘇州工業(yè)園區(qū)專利授權十佳企業(yè)、蘇州工業(yè)園區(qū)知識產權高質量創(chuàng)造獎、江蘇省百件優(yōu)質發(fā)明專利、江蘇省高質量發(fā)明專利、蘇州市優(yōu)秀專利獎、國家高新技術企業(yè)、蘇州市獨角獸培育企業(yè)、蘇州市企業(yè)工程技術研究中心等一系列資質和榮譽。蘇州晶湛半導體有限公司將一直秉承著“成為世界領先的第三代半導體材料供應商”的愿景，為客戶創(chuàng)造價值。