北京華進(jìn)創(chuàng)威電子有限公司成立于二零零八年九月，注冊資本金伍仟陸佰萬元，占地面積五十六畝，位于北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)。主要從事各種半導(dǎo)體晶體材料用的高純粉料、晶體材料、外延材料及器件整個產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)研究、產(chǎn)品開發(fā)、生產(chǎn)與銷售；承接該技術(shù)領(lǐng)域的合作研究和技術(shù)咨詢及相關(guān)晶體材料的來料加工和檢測服務(wù)；致力于第二代、第三代半導(dǎo)體材料和器件的技術(shù)創(chuàng)新、新產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化實(shí)施。
公司擁有一支過硬的科研生產(chǎn)隊伍，力量雄厚，生產(chǎn)工藝成熟。成立以來，陸續(xù)承擔(dān)了國家科研任務(wù)四十多項，其中國家科技重大專項六項，獲得專利授權(quán)三十多項。
多年來公司堅持技術(shù)創(chuàng)新，始終站在行業(yè)前沿，研究和開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高新技術(shù)和產(chǎn)品，推動我國寬禁帶半導(dǎo)體材料和新興元器件的持續(xù)發(fā)展，打破國際技術(shù)封鎖，實(shí)現(xiàn)核心技術(shù)和關(guān)鍵產(chǎn)品的國產(chǎn)化。
現(xiàn)有的成熟產(chǎn)品主要有高純碳化硅（SiC）粉料、2～4英寸砷化鎵（GaAs）單晶片、2～4英寸SiC單晶片、2～4英寸磷化銦（InP）單晶片、2～4英寸銻化鎵（GaSb）單晶片、2～4英寸SiC-SiC同質(zhì)外延片、2～4英寸SiC-GaN異質(zhì)外延片、碳化硅（SiC）電力電子器件等。
公司是中國國防科技工業(yè)協(xié)會理事單位，中國半導(dǎo)體材料協(xié)會的會員單位，北京市高新技術(shù)企業(yè)。并于二零一一年通過了GB/T 19001-2001、GJB9001B-2009質(zhì)量體系認(rèn)證。
華進(jìn)創(chuàng)威作為一家充滿活力的高新技術(shù)企業(yè)，我們愿同國內(nèi)外朋友廣泛合作，共同創(chuàng)造半導(dǎo)體行業(yè)更加輝煌的未來。